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IXTN200N10L2

廠家：: Ixys
封裝：: SOT-227-4，miniBLOC
數(shù)量：: 8893
說(shuō)明：: MOSFET Linear L2 Pwr MOSFET w/Extended FBSOA

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IXTN200N10L2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：830 W
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：90 S / 55 S
封裝形式：SOT-227
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：11 mOhms
漏極連續(xù)電流：178 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTN200N10L2的詳細(xì)信息，包括IXTN200N10L2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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