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IRL630STRR

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 D2PAK(TO-263)
數(shù)量:
 8073  
說明:
 MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
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IRL630STRR-D2PAK(TO-263)圖片

IRL630STRR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:38 ns
工廠包裝數(shù)量:800
上升時間:57 ns
功率耗散:3.1 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:33 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:D2PAK
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.4 Ohms
漏極連續(xù)電流:9 A
閘/源擊穿電壓:+/- 10 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是IRL630STRR的詳細信息,包括IRL630STRR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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