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IRFHM830DTR2PBF

廠家:
  International Rectifier
封裝:
 8-VQFN 裸露焊盤
數量:
 7146  
說明:
 MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.3mOhms 13nC
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IRFHM830DTR2PBF-8-VQFN 裸露焊盤圖片

IRFHM830DTR2PBF PDF參數資料

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中文參數如下:

工廠包裝數量:400
功率耗散:37 W
柵極電荷 Qg:13 nC
包裝形式:Reel
電阻汲極/源極 RDS(導通):7.1 mOhms
漏極連續電流:40 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

以上是IRFHM830DTR2PBF的詳細信息,包括IRFHM830DTR2PBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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