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IRFHM8363TR2PBF

廠家:
  International Rectifier
封裝:
 8-PQFN 雙(3.3x3.3)
數量:
 4005  
說明:
 MOSFET MOSFT DUAL N-Ch q 30V 10A POL
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IRFHM8363TR2PBF-8-PQFN 雙(3.3x3.3)圖片

IRFHM8363TR2PBF PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:12 ns
工廠包裝數量:400
上升時間:94 ns
功率耗散:2.7 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:6.7 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :20 S
下降時間:33 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PQFN-8 (3x3 mm Dual)
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):14.9 mOhms
漏極連續電流:11 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

以上是IRFHM8363TR2PBF的詳細信息,包括IRFHM8363TR2PBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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