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IRFD220PBF

廠家:
  Vishay Semiconductors
封裝:
 4-DIP(0.300",7.62mm)
數(shù)量:
 11416  
說(shuō)明:
 MOSFET N-Chan 200V 0.8 Amp
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IRFD220PBF-4-DIP(0.300

IRFD220PBF PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:19 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時(shí)間:22 ns
功率耗散:1000 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:22 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:HexDIP-4
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):800 mOhms
漏極連續(xù)電流:0.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
制造商:Vishay

以上是IRFD220PBF的詳細(xì)信息,包括IRFD220PBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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