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IRFD224

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 4-HVMDIP
數(shù)量：: 6300
說明：: MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

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IRFD224 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.1 歐姆 @ 380mA, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：250V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：630mA
Id 時的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：14nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：260pF @ 25V
功率 - 最大：1W
安裝類型：通孔

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