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IRFBF30STRR

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 D2PAK(TO-263)
數量:
 5958  
說明:
 MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
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IRFBF30STRR-D2PAK(TO-263)圖片

IRFBF30STRR PDF參數資料

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中文參數如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:標準型
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.7 歐姆 @ 2.2A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):900V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:3.6A
Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:78nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :1200pF @ 25V
功率 - 最大:125W
安裝類型:表面貼裝

以上是IRFBF30STRR的詳細信息,包括IRFBF30STRR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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