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IRFBG30

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-220-3
數(shù)量：: 2817
說明：: MOSFET 1000V Single N-Channel HEXFET

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IRFBG30 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：89 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時間：25 ns
功率耗散：125 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：20 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：5 Ohms
漏極連續(xù)電流：3.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：1000 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRFBG30的詳細(xì)信息，包括IRFBG30廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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