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IRFB9N30A

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-220-3
數量：: 5832
說明：: MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB

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IRFB9N30A PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C450 毫歐 @ 5.6A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)300V
Id 時的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs33nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C9.3A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 920pF @ 25V
功率 - 最大96W
安裝類型通孔

以上是IRFB9N30A的詳細信息，包括IRFB9N30A廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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