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IRFB9N30APBF

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-220-3
數量：: 5841
說明：: MOSFET N-Chan 300V 30 Amp

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IRFB9N30APBF PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：35 ns
工廠包裝數量：1000
上升時間：25 ns
功率耗散：96 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：29 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.45 Ohms
漏極連續電流：9.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：300 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRFB9N30APBF的詳細信息，包括IRFB9N30APBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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