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IRF7807VD1

廠家：
  International Rectifier
封裝：
 8-SO
數量：
 2646  
說明：
 MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
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IRF7807VD1-8-SO圖片

IRF7807VD1 PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點二極管（隔離式）
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C25 毫歐 @ 7A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時的 Vgs(th)（最大）3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C8.3A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) -
功率 - 最大2.5W
安裝類型表面貼裝

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