色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IRF7807VD2PBF

IRF7807VD2PBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: 8-SO
數量：: 2709
說明：: MOSFET 30V FETKY 30 VBRD 25mOhms 9.5nC

一、本商品被瀏覽0次.

IRF7807VD2PBF PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：11 ns
工廠包裝數量：95
上升時間：1.2 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：9.5 nC
下降時間：2.2 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOIC-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：25 mOhms
漏極連續電流：8.3 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF7807VD2PBF的詳細信息，包括IRF7807VD2PBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ