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IRF7807D1TR

廠家：: International Rectifier
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數量：: 2511
說明：: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

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IRF7807D1TR PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點二極管（隔離式）
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C25 毫歐 @ 7A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時的 Vgs(th)（最大）1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs17nC @ 5V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C8.3A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) -
功率 - 最大2.5W
安裝類型表面貼裝

以上是IRF7807D1TR的詳細信息，包括IRF7807D1TR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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