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IRF7807APBF

廠家：
  International Rectifier
封裝：
 8-SO
數量：
 2466  
說明：
 MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 25mOhms 12nC
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IRF7807APBF-8-SO圖片

IRF7807APBF PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：25 ns
工廠包裝數量：95
上升時間：17 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：12 nC
下降時間：6 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOIC-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：25 mOhms
漏極連續電流：6.6 A
閘/源擊穿電壓：12 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF7807APBF的詳細信息，包括IRF7807APBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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