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IRF7779L2TR1PBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: DirectFET? 等距 L8
數(shù)量：: 2169
說(shuō)明：: MOSFET 150V 67A 11mOhm 97nC Qg

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IRF7779L2TR1PBF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：1000
上升時(shí)間：19 ns
功率耗散：125 W
柵極電荷 Qg：97 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：83 S
下降時(shí)間：12 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Direct-FET L8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：9 mOhms
漏極連續(xù)電流：67 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：150 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF7779L2TR1PBF的詳細(xì)信息，包括IRF7779L2TR1PBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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