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IRF7779L2TRPBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: DirectFET? 等距 L8
數量：: 2196
說明：: MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC

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IRF7779L2TRPBF PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：4000
功率耗散：125 W
柵極電荷 Qg：97 nC
包裝形式：Reel
漏極連續電流：67 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：150 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF7779L2TRPBF的詳細信息，包括IRF7779L2TRPBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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