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IRF7473PBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: 8-SO
數(shù)量：: 8847
說(shuō)明：: MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 61nC

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IRF7473PBF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：29 ns
工廠包裝數(shù)量：95
上升時(shí)間：20 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：61 nC
下降時(shí)間：11 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOIC-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：26 m Ohms
漏極連續(xù)電流：6.9 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF7473PBF的詳細(xì)信息，包括IRF7473PBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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