色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<code id="ugies"></code>

<rt id="ugies"></rt>

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IRF7476PBF

IRF7476PBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: SOIC-8
數量：: 8960
說明：: MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 8mOhms 26nC

一、本商品被瀏覽0次.

IRF7476PBF PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：19 ns
工廠包裝數量：95
上升時間：29 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：26 nC
下降時間：8.3 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOIC-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：8 mOhms
漏極連續(xù)電流：15 A
閘/源擊穿電壓：12 V
汲極/源極擊穿電壓：12 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF7476PBF的詳細信息，包括IRF7476PBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

MCB130N10YA-TP

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1