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IRF6678TR1

廠家：: International Rectifier
封裝：: DirectFET? 等容 MX
數(shù)量：: 3618
說明：: MOSFET 30V N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC

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IRF6678TR1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：27 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時間：71 ns
功率耗散：2.8 W
最小工作溫度：- 40 C
下降時間：8.1 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Direct-FET MX
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3 m Ohms
漏極連續(xù)電流：30 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：International Rectifier

以上是IRF6678TR1的詳細信息，包括IRF6678TR1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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