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IRF6708S2TR1PBF

廠家:
  International Rectifier
封裝:
 DirectFET? 等容 S1
數量:
 2745  
說明:
 MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET S1
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IRF6708S2TR1PBF-DirectFET? 等容 S1圖片

IRF6708S2TR1PBF PDF參數資料

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中文參數如下:

工廠包裝數量:1000
功率耗散:20 W
柵極電荷 Qg:6.6 nC
包裝形式:Reel
電阻汲極/源極 RDS(導通):14.3 mOhms
漏極連續電流:36 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

以上是IRF6708S2TR1PBF的詳細信息,包括IRF6708S2TR1PBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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