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IRF6641TR1PBF

廠家:
  International Rectifier
封裝:
 DirectFET? 等容 MZ
數量:
 2988  
說明:
 MOSFET MOSFT 200V 26A 60mOhm 34nC Qg
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IRF6641TR1PBF-DirectFET? 等容 MZ圖片

IRF6641TR1PBF PDF參數資料

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中文參數如下:

工廠包裝數量:1000
上升時間:11 ns
功率耗散:89 W
柵極電荷 Qg:34 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :13 S
下降時間:6.5 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:Direct-FET MZ
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):51 mOhms
漏極連續電流:4.6 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

以上是IRF6641TR1PBF的詳細信息,包括IRF6641TR1PBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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