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IRF6645TR1PBF

廠家：
  International Rectifier
封裝：
 DIRECTFET? SJ
數量：
 3150  
說明：
 MOSFET MOSFT 100V 25A 35mOhm 14nC Qg
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IRF6645TR1PBF-DIRECTFET? SJ圖片

IRF6645TR1PBF PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：1000
上升時間：5 ns
功率耗散：42 W
柵極電荷 Qg：14 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：7.4 S
下降時間：5.1 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Direct-FET SJ
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：28 mOhms
漏極連續電流：5.7 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF6645TR1PBF的詳細信息，包括IRF6645TR1PBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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