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IRF650B_FP001

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220
數量：: 3465
說明：: MOSFET

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IRF650B_FP001 PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：295 ns
上升時間：240 ns
功率耗散：156 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：195 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.071 Ohms
漏極連續電流：28 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是IRF650B_FP001的詳細信息，包括IRF650B_FP001廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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