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IRF6603

廠家：: International Rectifier
封裝：: DirectFET? 等容 MT
數量：: 1206
說明：: MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC

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IRF6603 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：24 ns
工廠包裝數量：4800
上升時間：9.9 ns
功率耗散：42 W
最小工作溫度：- 40 C
柵極電荷 Qg：86 nC
下降時間：71 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Direct-FET MT
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：5.5 mOhms
漏極連續電流：28 A
閘/源擊穿電壓：12 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：International Rectifier

以上是IRF6603的詳細信息，包括IRF6603廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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