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IRF640B_FP001_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220
數(shù)量：: 3393
說明：: MOSFET 200V Single

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IRF640B_FP001_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：145 ns
上升時間：145 ns
功率耗散：139 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：110 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.18 Ohms
漏極連續(xù)電流：11.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是IRF640B_FP001_Q的詳細信息，包括IRF640B_FP001_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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