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IRF640NSPBF

廠家:
  International Rectifier
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數量:
 1026  
說明:
 MOSFET 30V 1 N-CH 150mOhm HEXFET 200V VDSS
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IRF640NSPBF-TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB圖片

IRF640NSPBF PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:23 ns
工廠包裝數量:50
上升時間:19 ns
功率耗散:150 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:44.7 nC
下降時間:5.5 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:D2PAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):150 m Ohms
漏極連續電流:18 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

以上是IRF640NSPBF的詳細信息,包括IRF640NSPBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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