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IRF640,127

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: TO-220AB
數(shù)量：: 963
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB

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IRF640,127 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C180 毫歐 @ 8A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)200V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C16A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 1850pF @ 25V
功率 - 最大136W
安裝類型通孔

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