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IPSA70R360P7SAKMA1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO251-3
數量:
 7731  
說明:
 MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
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IPSA70R360P7SAKMA1 PDF參數資料

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中文參數如下:
:-40°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):59.5W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):517 pF @ 400 V
Vgs(最大值):±16V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):16.4 nC @ 400 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 150μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):360 毫歐 @ 3A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):12.5A(Tc)
漏源電壓(Vdss):700 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:不適用于新設計
包裝:CoolMOS? P7
系列:管件
品牌:Infineon Technologies

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