色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

IPS118N10N G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO251-3-11
數量:
 7812  
說明:
 MOSFET N-KANAL POWER MOS
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
IPS118N10N G-PG-TO251-3-11圖片

IPS118N10N G PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:

零件號別名:IPS118N10NGXK SP000680974
典型關閉延遲時間:32 ns
工廠包裝數量:1500
上升時間:21 ns
功率耗散:125 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:8 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-251
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0118 Ohms
漏極連續電流:75 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPS118N10N G的詳細信息,包括IPS118N10N G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

  • IPS160H圖片

    IPS160H

    IC PWR SWTCH P-CHAN 1:1 PWRSSO12

  • IPS161H圖片

    IPS161H

    IC PWR SWTCH P-CHAN 1:1 PWRSSO12

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板: 孝昌县| 和龙市| 乌兰察布市| 达孜县| 靖江市| 老河口市| 磐安县| 鄯善县| 石家庄市| 莒南县| 册亨县| 平阴县| 延吉市| 桓仁| 许昌市| 蓬溪县| 株洲县| 兴安盟| 丽江市| 南郑县| 保靖县| 宁安市| 乌鲁木齐市| 东源县| 吴堡县| 堆龙德庆县| 博湖县| 弥渡县| 堆龙德庆县| 将乐县| 六盘水市| 凤城市| 蓬安县| 武宁县| 冕宁县| 唐河县| 汨罗市| 桓仁| 陕西省| 庐江县| 栾城县|