色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IPP084N06L3 G

IPP084N06L3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-220
數量：: 5878
說明：: MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 50A

一、本商品被瀏覽0次.

IPP084N06L3 G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：IPP084N06L3GHKSA1 IPP084N06L3GXKSA1 SP000680838
典型關閉延遲時間：37 ns
工廠包裝數量：500
上升時間：26 ns
功率耗散：79 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：7 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0084 Ohms
漏極連續電流：50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPP084N06L3 G的詳細信息，包括IPP084N06L3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1