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IPP08CN10N G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO220-3
數(shù)量:
 5841  
說明:
 MOSFET N-CH 100V 95A
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IPP08CN10N G-PG-TO220-3圖片

IPP08CN10N G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:IPP08CN10NGXK
典型關(guān)閉延遲時間:26 ns
工廠包裝數(shù)量:50
上升時間:24 ns
功率耗散:167 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:6 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0085 Ohms
漏極連續(xù)電流:95 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPP08CN10N G的詳細信息,包括IPP08CN10N G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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