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IPI90R800C3

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO262-3
數(shù)量：: 5328
說明：: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-262

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IPI90R800C3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：800 毫歐 @ 4.1A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：900V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：6.9A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：3.5V @ 460µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：42nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：1100pF @ 100V
功率 - 最大：104W
安裝類型：通孔

以上是IPI90R800C3的詳細(xì)信息，包括IPI90R800C3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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