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IPI110N20N3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-262-3
數量：: 9085
說明：: MOSFET N-Channel 200V MOSFET

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IPI110N20N3 G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：IPI110N20N3GAKSA1 IPI110N20N3GXK SP000714304
典型關閉延遲時間：41 nS
上升時間：26 nS
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：65 nC
下降時間：11 nS
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262-3
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：10.7 mOhms at 10 V
漏極連續電流：88 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPI110N20N3 G的詳細信息，包括IPI110N20N3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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