色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IPI120N04S302

IPI120N04S302

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-262
數(shù)量：: 1314
說明：: MOSFET

一、本商品被瀏覽0次.

IPI120N04S302 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：57 ns
工廠包裝數(shù)量：500
上升時(shí)間：19 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：18 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：2.3 m Ohms
漏極連續(xù)電流：120 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：Infineon

以上是IPI120N04S302的詳細(xì)信息，包括IPI120N04S302廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：