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IPI09N03LA

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-TO262-3
數量：
 2943  
說明：
 MOSFET N-KANAL POWER MOS
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IPI09N03LA-PG-TO262-3圖片

IPI09N03LA PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：22 ns
工廠包裝數量：500
上升時間：88.5 ns
功率耗散：63 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：4.2 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：15.5 m Ohms
漏極連續電流：50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPI09N03LA的詳細信息，包括IPI09N03LA廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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