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IPI100N04S303

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-262
數量：
 1161  
說明：
 MOSFET
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IPI100N04S303 PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：46 ns
工廠包裝數量：500
上升時間：16 ns
功率耗散：214 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：17 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3.3 m Ohms
漏極連續電流：100 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：Infineon

以上是IPI100N04S303的詳細信息，包括IPI100N04S303廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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