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IPD5N03LAG

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO252-3-11
數(shù)量：: 4608
說明：: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11

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IPD5N03LAG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C5.2 毫歐 @ 50A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)25V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2V @ 35µA
閘電荷(Qg) @ Vgs22nC @ 5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C50A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 2653pF @ 15V
功率 - 最大83W
安裝類型表面貼裝

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