色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

IPD60R1K4C6

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO252-3
數量:
 3735  
說明:
 MOSFET N-CH 650V 3.2A
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
IPD60R1K4C6-PG-TO252-3圖片

IPD60R1K4C6 PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:

零件號別名:IPD60R1K4C6BTMA1 IPD60R1K4C6XT SP000799134
功率耗散:28.4 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS(導通):1.26 Ohms
漏極連續電流:3.2 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:650 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IPD60R1K4C6的詳細信息,包括IPD60R1K4C6廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板: 阳西县| 沁阳市| 开封市| 中卫市| 拉萨市| 彰化市| 织金县| 沈阳市| 伊春市| 元江| 肇东市| 乃东县| 正蓝旗| 唐河县| 和平区| 祁东县| 唐海县| 石泉县| 麻江县| 尉氏县| 大冶市| 济源市| 钟祥市| 屯门区| 临沂市| 永善县| 南宁市| 商都县| 宁德市| 永年县| 皮山县| 鹤壁市| 曲沃县| 常熟市| 威信县| 兴仁县| 邛崃市| 同德县| 通城县| 永川市| 灌云县|