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IPD60R1K4C6

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO252-3
數量:
 3735  
說明:
 MOSFET N-CH 650V 3.2A
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IPD60R1K4C6-PG-TO252-3圖片

IPD60R1K4C6 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:IPD60R1K4C6BTMA1 IPD60R1K4C6XT SP000799134
功率耗散:28.4 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS(導通):1.26 Ohms
漏極連續電流:3.2 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:650 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IPD60R1K4C6的詳細信息,包括IPD60R1K4C6廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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