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IPD26N06S2L35

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-252
數(shù)量：: 8271
說明：: MOSFET

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IPD26N06S2L35 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：26 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：18 ns
功率耗散：68 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：11 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：35 m Ohms
漏極連續(xù)電流：26 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：55 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：Infineon

以上是IPD26N06S2L35的詳細(xì)信息，包括IPD26N06S2L35廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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