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IPB100N08S2L07

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263
數量:
 4743  
說明:
 MOSFET MOSFET
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IPB100N08S2L07 PDF參數資料

中文參數如下:

典型關閉延遲時間:85 ns
上升時間:56 ns
功率耗散:300 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:22 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):6.5 m Ohms
漏極連續電流:100 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:75 V
晶體管極性:N-Channel
制造商:Infineon

以上是IPB100N08S2L07的詳細信息,包括IPB100N08S2L07廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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