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IPB100N08S207

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263
數(shù)量:
 4725  
說(shuō)明:
 MOSFET MOSFET
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IPB100N08S207 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:61 ns
上升時(shí)間:51 ns
功率耗散:300 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:30 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):7.1 m Ohms
漏極連續(xù)電流:100 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:75 V
晶體管極性:N-Channel
制造商:Infineon

以上是IPB100N08S207的詳細(xì)信息,包括IPB100N08S207廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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