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IPB100N08S207

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-263
數(shù)量：
 4725  
說(shuō)明：
 MOSFET MOSFET
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IPB100N08S207 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：61 ns
上升時(shí)間：51 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：30 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：7.1 m Ohms
漏極連續(xù)電流：100 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：75 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：Infineon

以上是IPB100N08S207的詳細(xì)信息，包括IPB100N08S207廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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