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IPB042N10N3GE8187ATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-3
數量：: 486
說明：: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

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IPB042N10N3GE8187ATMA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：214W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：8410 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：117 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 150μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：4.2 毫歐 @ 50A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：100A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：100 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：OptiMOS?
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是IPB042N10N3GE8187ATMA1的詳細信息，包括IPB042N10N3GE8187ATMA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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