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IPB04CN10N G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: D2PAK
數量：: 6975
說明：: MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANS 100V 100A

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IPB04CN10N G PDF參數資料

中文參數如下：

零件號別名：IPB04CN10NGXT
典型關閉延遲時間：76 ns
上升時間：78 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：25 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0039 Ohms
漏極連續電流：100 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB04CN10N G的詳細信息，包括IPB04CN10N G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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