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IPB025N10N3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263
數量：: 3308
說明：: MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH

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IPB025N10N3 G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GXT SP000469888
典型關閉延遲時間：84 ns
工廠包裝數量：1000
上升時間：58 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：206 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：200 S, 100 S
下降時間：28 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single Quint Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：2.5 mOhms
漏極連續電流：180 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB025N10N3 G的詳細信息，包括IPB025N10N3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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