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IPB023N04N G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263
數量：: 1991
說明：: MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 90A

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IPB023N04N G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：IPB023N04NGATMA1 IPB023N04NGXT SP000391519
典型關閉延遲時間：40 ns
工廠包裝數量：1000
上升時間：6.6 ns
功率耗散：167 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：7.8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0023 Ohms
漏極連續電流：90 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB023N04N G的詳細信息，包括IPB023N04N G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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