色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > IGB01N120H2ATMA1

IGB01N120H2ATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-3-2
數(shù)量：: 5958
說(shuō)明：: IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2

一、本商品被瀏覽0次.

IGB01N120H2ATMA1 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
測(cè)試條件：800V，1A，241 歐姆，15V
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：13ns/370ns
柵極電荷：8.6 nC
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量：140μJ
功率 - 最大值：28 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，1A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：3.5 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：3.2 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
IGBT 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：最后售賣
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是IGB01N120H2ATMA1的詳細(xì)信息，包括IGB01N120H2ATMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產(chǎn)品：