色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > IGB03N120H2ATMA1

IGB03N120H2ATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-3-2
數量：: 5994
說明：: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3

一、本商品被瀏覽0次.

IGB03N120H2ATMA1 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：-
測試條件：800V，3A，82 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關）值：9.2ns/281ns
柵極電荷：22 nC
輸入類型：標準
開關能量：290μJ
功率 - 最大值：62.5 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，3A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：9.9 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：9.6 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
IGBT 類型：-
產品狀態：最后售賣
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是IGB03N120H2ATMA1的詳細信息，包括IGB03N120H2ATMA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產品：

F3L11MR12W2M1B74BOMA1

FP75R12N3T7B11BPSA1

FS100R12N2T7B15BPSA1

FS200R12W3T7B11BPSA1