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FXT649STZ

廠家：: Diodes Inc. / Zetex
封裝：: TO-92
數量：: 7614
說明：: 兩極晶體管 - BJT -

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FXT649STZ PDF參數資料

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中文參數如下：

包裝形式：Box
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：1000 mW
直流電流增益 hFE 最大值：70 at 50 mA at 2 V
封裝形式：TO-92
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：70 at 50 mA at 2 V, 100 at 1 A at 2 V, 75 at 2 A at 2 V, 15 at 6 A at 2 V
增益帶寬產品fT：150 MHz
最大直流電集電極電流：2 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：25 V
集電極—基極電壓 VCBO：35 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Diodes Inc.

以上是FXT649STZ的詳細信息，包括FXT649STZ廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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