點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝封裝/外殼：表面貼裝型
功率 - 最大值：250mW
頻率 - 躍遷：150MHz
電流 - 集電極截止（最大值）：-
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：300mV @ 500μA，10mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 5mA，5V
電阻器 - 發射極 (R2)：-
電阻器 - 基極 (R1)：4.7 千歐
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA
晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）
產品狀態：停產
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是BCR119SE6433HTMA1的詳細信息，包括BCR119SE6433HTMA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管   JFET   IGBT 晶體管   開關晶體管 - 偏壓電阻器   IGBT 模塊  

兩極晶體管 - BJT 最新產品：

ADA114YUQ-7

UMD2N-TP

DDC114EUQ-7-F

EMH59T2R

EMB61T2R

DDA114YUQ-7-F

DDA124EUQ-7-F

DDA143TUQ-7-F

DDA144EUQ-7-F

UMC4NQ-7