色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FQPF8N60CYDTU

FQPF8N60CYDTU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220F-3（Y 型）
數(shù)量：: 3267
說明：: MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

一、本商品被瀏覽0次.

FQPF8N60CYDTU PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：FQPF8N60CYDTU_NL
典型關(guān)閉延遲時間：81 ns
工廠包裝數(shù)量：50
上升時間：60.5 ns
功率耗散：48 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：64.5 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220F
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.2 Ohms
漏極連續(xù)電流：7.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQPF8N60CYDTU的詳細信息，包括FQPF8N60CYDTU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

UPA2826T1S-E2-AT

MCB130N10YA-TP

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1